制造商:Texas Instruments
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:PICOSTAR-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:12 V
Id-連續(xù)漏極電流:2.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:180 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:650 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
Qg-柵極電荷:1060 pC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標名:NexFET
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
高度:0.35 mm
長度:1 mm
系列:CSD13381F4
晶體管類型:1 N-Channel FemtoFET MOSFET
寬度:0.64 mm
商標:Texas Instruments
下降時間:3.8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:1.5 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:11 ns
典型接通延遲時間:3.7 ns
單位重量:0.400 mg