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CSD13306W
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:DSBGA-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:12 V

Id-連續(xù)漏極電流:3.5 A

Rds On-漏源導通電阻:10.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.62 mm

長度:1.5 mm

系列:CSD13306W

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:1 mm

商標:Texas Instruments

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

單位重量:1.700 mg

介紹圖CSD13306W
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
CSD13306WCSD13306W 12 V N Channel NexFETa?￠ Power MOSFET TI[Texas Instruments]TI[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)616.7 Kbytes共12頁CSD13306W的PDF文件地址 CSD13306W的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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