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CSD13383F4
規(guī)格信息：

制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PICOSTAR-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:12 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.9 A

Rds On-漏源導通電阻:44 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:2 nC

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.35 mm

長度:1 mm

系列:CSD13383F4

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:0.64 mm

商標:Texas Instruments

產(chǎn)品類型:MOSFET

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

單位重量:0.400 mg

介紹圖CSD13383F4
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
CSD13383F4N-Channel FemtoFET MOSFET TI1[Texas Instruments]TI1[Texas Instruments]的LOGO-天天IC網(wǎng)764.53 Kbytes共13頁CSD13383F4的PDF文件地址 CSD13383F4的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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