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制造商:Texas Instruments

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:WSON-6

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:25 V

Id-連續(xù)漏極電流:5 A

Rds On-漏源導通電阻:24 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:900 mV

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

Qg-柵極電荷:2 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:15 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:NexFET

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:0.75 mm

長度:2 mm

系列:CSD16301Q2

晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET

寬度:2 mm

商標:Texas Instruments

下降時間:1.7 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:4.4 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:4.1 ns

典型接通延遲時間:2.7 ns

單位重量:8.700 mg