������:Diodes Incorporated
�aƷ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g:Si
���b�L��:SMD/SMT
���b / ���w:PowerDI3333-8
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:30 V
Id-�B�m(x��)©�O���:60 A
Rds On-©Դ��ͨ���:3.5 mOhms
Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:1 V
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
Qg-�ŘO늺�:42 nC
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
Pd-���ʺ�ɢ:2 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
���w�����:1 N-Channel
�̘�:Diodes Incorporated
�½��r�g:15 ns
�aƷ���:MOSFET
�����r�g:4.1 ns
���S���b��(sh��)��:3000
��e:MOSFETs
�����P�]���t�r�g:31 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:3.9 ns
�����:72 mg