������:Diodes Incorporated
�a(ch��n)Ʒ�N�:MOSFET
RoHS:��
���g(sh��):Si
���b�L(f��ng)��:SMD/SMT
���b / ���w:PowerDI3333-8
ͨ����(sh��)��:1 Channel
���w�ܘO��:N-Channel
Vds-©Դ�O����늉�:30 V
Id-�B�m(x��)©�O���:17.6 A
Rds On-©Դ��(d��o)ͨ���:4.6 mOhms
Vgs th-��Դ�O�ֵ늉�:2.3 V
Vgs - �ŘO-Դ�O늉�:20 V
Qg-�ŘO늺�:41 nC
��С�����ض�:- 55 C
������ض�:+ 150 C
Pd-���ʺ�ɢ:2.1 W
����:Single
ͨ��ģʽ:Enhancement
�̘�(bi��o)��:PowerDI
���b:Cut Tape
���b:MouseReel
���b:Reel
ϵ��:DMN3008
���w�����:1 N-Channel
�̘�(bi��o):Diodes Incorporated
�½��r�g:28.4 ns
�a(ch��n)Ʒ���:MOSFET
�����r�g:14 ns
���S���b��(sh��)��:2000
��e:MOSFETs
�����P(gu��n)�]���t�r�g:63.7 ns
���ͽ�ͨ���t�r�g:5.7 ns
�����:72 mg