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DMN2990UDJ-7
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-963-6

通道數(shù)量:2 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:20 V

Id-連續(xù)漏極電流:450 mA

Rds On-漏源導通電阻:990 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:8 V

Qg-柵極電荷:500 pC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:350 mW

配置:Dual

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

系列:DMN2990

晶體管類型:2 N-Channel

商標:Diodes Incorporated

正向跨導 - 最小值:180 mS

下降時間:6.4 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:3.3 ns

工廠包裝數(shù)量:10000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:19 ns

典型接通延遲時間:4 ns

DMN2990UDJ-7

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DMN2990UDJ-7	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	181.38 Kbytes	共6頁	產(chǎn)品購買
DMN2990UDJ-7	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	402.72 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買
DMN2990UDJ-7A	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	DIODES[Diodes Incorporated]	402.72 Kbytes	共7頁	產(chǎn)品購買