制造商:Diodes Incorporated
產品種類:MOSFET
RoHS:是
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:X2-DFN0806-3
通道數量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:600 mA
Rds On-漏源導通電阻:450 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V
Vgs - 柵極-源極電壓:8 V
Qg-柵極電荷:880 pC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:360 mW
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
系列:DMN25
晶體管類型:1 N-Channel
商標:Diodes Incorporated
下降時間:36 ns
產品類型:MOSFET
上升時間:11 ns
工廠包裝數量:10000
子類別:MOSFETs
典型關閉延遲時間:105 ns
典型接通延遲時間:7.1 ns
DMN2550UFA-7B
| 型號 | 功能描述 | 生產廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數 | PDF文件 | 相關型號 | 第一頁預覽 | 產品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN2550UFA-7B | Low On-Resistance | DIODES[Diodes Incorporated] | 288.93 Kbytes | 共6頁 | 產品購買 |
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