系列：DMN
最大工作溫度：+ 150 C
最小工作溫度：- 55 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
配置：Single
Vgs-柵極-源極電壓：6 V
Pd-功率耗散：0.46 W
通道數(shù)量：1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流：810 mA
Vds-漏源極擊穿電壓：20 V
晶體管類型：1 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：700 mOhms
通道模式：Enhancement
晶體管極性：N-Channel
Qg-柵極電荷：736.6 pC
Vgsth-柵源極閾值電壓：1 V
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：810mA（Ta）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：0.74nC @ 4.5V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：60.67pF @ 16V
Vgs（最大值）：±6V
功率耗散（最大值）：460mW（Ta）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：400 毫歐 @ 600mA，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：3-XFDFN
封裝形式Package：DFN
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：20V
連續(xù)漏極電流ID：1A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs