制造商:Diodes Incorporated
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:SOT-963-6
通道數(shù)量:2 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:20 V
Id-連續(xù)漏極電流:240 mA
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:3 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:450 mV
Vgs - 柵極-源極電壓:4.5 V
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:300 mW
配置:Dual
通道模式:Enhancement
封裝:Cut Tape
封裝:MouseReel
封裝:Reel
產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers
系列:DMN26
晶體管類(lèi)型:2 N-Channel
類(lèi)型:Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
商標(biāo):Diodes Incorporated
正向跨導(dǎo) - 最小值:180 mS
下降時(shí)間:15.2 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:7.9 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量:10000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.4 ns
典型接通延遲時(shí)間:3.8 ns