Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：60V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：7.9A
Rds（最大）@ ID，VGS：40 mOhm @ 7.3A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：29nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：1426pF @ 30V
功率 - 最大：2.15W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：3DPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：60 V
最大連續(xù)漏極電流：11.8 A
RDS -于：40@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：4.8 ns
典型上升時(shí)間：4.6 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：32.5 ns
典型下降時(shí)間：14.5 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：In Transition
晶體管極性：N-Channel
漏源擊穿電壓：60 V
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：11.2 A
抗漏源極RDS （ ON）：40 mOhms
配置：Single
最高工作溫度：+ 150 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝/外殼：TO-252
封裝：Reel
下降時(shí)間：14.5 ns
最低工作溫度：- 55 C
功率耗散：10.1 W
上升時(shí)間：4.6 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
最大門源電壓：±20
包裝寬度：6.22(Max)
PCB：2
最大功率耗散：10100
最大漏源電壓：60
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：40@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：DPAK
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長(zhǎng)度：6.73(Max)
引腳數(shù)：3
包裝高度：2.39(Max)
最大連續(xù)漏極電流：11.8
標(biāo)簽：Tab
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：10.1W
匹配代碼：ZXMN6A09KTC
LogicLevel：YES
單位包：2500
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：16 weeks
最小起訂量：2500
Q（克）：15nC
LLRDS （上）：0.060Ohm
汽車：AEC-Q(100)
LLRDS （上）在：4.5V
我（D ）：12.2A
V（ DS ）：60V
的RDS（on ） at10V：0.040Ohm
無鉛Defin：RoHS-conform
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：7.7A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3
其他名稱：ZXMN6A09KTCTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：40 mOhm @ 7.3A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2.15W
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：1426pF @ 30V
閘電荷（Qg ） @ VGS：29nC @ 10V
封裝/外殼：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63