系列ZXMN
單位重量8 mg
高度1.02 mm
長(zhǎng)度3.04 mm
類型MOSFET
寬度1.4 mm
最大工作溫度+ 150 C
最小工作溫度- 55 C
安裝風(fēng)格SMD/SMT
配置Single
典型接通延遲時(shí)間1.8 ns
上升時(shí)間1.4 ns
Vgs-柵極-源極電壓20 V
Pd-功率耗散625 mW
通道數(shù)量1 Channel
Id-連續(xù)漏極電流1.2 A
Vds-漏源極擊穿電壓60 V
晶體管類型1 N-Channel
RdsOn-漏源導(dǎo)通電阻250 mOhms
通道模式Enhancement
晶體管極性N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間4.9 ns
FET類型N 溝道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時(shí)）1.2A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）4.5V，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）3V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）3.2nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）166pF @ 40V
Vgs（最大值）±20V
功率耗散（最大值）625mW（Ta）
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）250 毫歐 @ 1.8A，10V
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
封裝形式PackageSOT-23
極性PolarityN-CH
漏源極擊穿電壓VDSS60V
連續(xù)漏極電流ID1.2A
無鉛情況/RoHs無鉛/符合RoHs