Rohs：Lead free / RoHS Compliant
產(chǎn)品更改通知：MLP322, 832 Pkg Discontinuation 20/Dec/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：2.9A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-MLP
供應(yīng)商器件封裝：8-MLP (3x2)
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
最大門源電壓：±20
歐盟RoHS指令：Compliant
最高工作溫度：150
通道模式：Enhancement
最低工作溫度：-55
包裝高度：1(Max)
安裝：Surface Mount
最大功率耗散：3000
渠道類型：N
封裝：Tape and Reel
最大漏源電阻：120@10V
最大漏源電壓：30
每個(gè)芯片的元件數(shù)：2
包裝寬度：2
供應(yīng)商封裝形式：MLP
包裝長度：3
PCB：8
最大連續(xù)漏極電流：3.7
引腳數(shù)：8
單位包：3000
最小起訂量：3000
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.9A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-MLP (3x2)
其他名稱：ZXMN3AM832TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：1.5W
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 10V
封裝/外殼：8-MLP
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：3000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual Dual Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：3.7 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：180 mOhms
功率耗散：3 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：MLP-8
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：6.6 ns
上升時(shí)間：2.3 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：30 V