Rohs:Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
FET 型
:2 N-Channel (Dual)
FET特點(diǎn):Logic Level Gate
漏極至源極電壓(VDSS):30V
電流-連續(xù)漏極(編號)@ 25°C:6.5A
Rds(最大)@ ID,VGS:20 mOhm @ 12.6A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id:1V @ 250μA
柵極電荷(Qg)@ VGS:36.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)@?Vds的:1890pF @ 15V
功率 - 最大:1.25W
安裝類型
:Surface Mount
包/盒
:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應(yīng)商器件封裝:8-SOP
包裝材料
:Tape & Reel (TR)
FET特點(diǎn):Logic Level Gate
封裝:Tape & Reel (TR)
安裝類型:Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極(Id ) @ 25 °C:6.5A
的Vgs(th ) (最大)@ Id:1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOP
開態(tài)Rds(最大)@ Id ,V GS:20 mOhm @ 12.6A, 10V
FET型:2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大:1.25W
標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
漏極至源極電壓(Vdss):30V
輸入電容(Ciss ) @ VDS:1890pF @ 15V
閘電荷(Qg ) @ VGS:36.8nC @ 10V
封裝/外殼:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)