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Rohs：Contains lead / RoHS non-compliant

標(biāo)準(zhǔn)包裝：500

FET 型 ：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

漏極至源極電壓（VDSS）：30V

電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：7.3A

Rds（最大）@ ID，VGS：25 mOhm @ 12A, 10V

VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA

柵極電荷（Qg）@ VGS：26.8nC @ 10V

輸入電容（Ciss）@?Vds的：1400pF @ 25V

功率 - 最大：1.56W

安裝類(lèi)型 ：Surface Mount

包/盒 ：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供應(yīng)商器件封裝：8-SOP

包裝材料 ：Tape & Reel (TR)

FET特點(diǎn)：Logic Level Gate

封裝：Tape & Reel (TR)

安裝類(lèi)型：Surface Mount

電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：7.3A (Ta)

的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA

封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SOP

其他名稱：ZXMN3A02N8TR

開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：25 mOhm @ 12A, 10V

FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 最大：1.56W

標(biāo)準(zhǔn)包裝：500

漏極至源極電壓（Vdss）：30V

輸入電容（Ciss ） @ VDS：1400pF @ 25V

閘電荷（Qg ） @ VGS：26.8nC @ 10V

RoHS指令：Contains lead / RoHS non-compliant