Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號(hào)）@ 25°C：2.4A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：1V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.1W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：SOT-23-6
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-6
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：6SOT-23
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：3 A
RDS -于：120@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：1.7 ns
典型上升時(shí)間：2.3 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：6.6 ns
典型下降時(shí)間：2.9 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：1.8(Max)
PCB：6
最大功率耗散：1700
最大漏源電壓：30
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：120@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：SOT-23
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：SOT-23
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長(zhǎng)度：3.1(Max)
引腳數(shù)：6
包裝高度：1.3(Max)
最大連續(xù)漏極電流：3
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：1.1W
匹配代碼：ZXMN3A01E6
單位包：3000
標(biāo)準(zhǔn)的提前期：99 weeks
最小起訂量：3000
極化：N-CHANNEL
無(wú)鉛Defin：RoHS-conform
我（D ）：3A
V（ DS ）：30V
R（ DS上）：0.12Ohm
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.4A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：1V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-23-6
其他名稱：ZXMN3A01E6TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：1.1W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 10V
封裝/外殼：SOT-23-6
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：3000
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Single Quad Drain
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：3 A
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
RDS（ON）：180 mOhms
功率耗散：1.1 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SOT-23-6
上升時(shí)間：2.3 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：30 V
RoHS：In Transition
下降時(shí)間：2.3 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：0.12 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：SOT-23
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1
工作溫度分類：Military