Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標準包裝：500
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：5.7A
Rds（最大）@ ID，VGS：24 mOhm @ 7A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：12.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：608pF @ 15V
功率 - 最大：1.25W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供應商器件封裝：8-SOP
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：8SO
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：7.3 A
RDS -于：24@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導通延遲時間：2.9 ns
典型上升時間：3.3 ns
典型關(guān)閉延遲時間：16 ns
典型下降時間：8 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標準包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：4(Max)
PCB：8
最大功率耗散：2100
最大漏源電壓：30
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：24@10V
每個芯片的元件數(shù)：2
最低工作溫度：-55
供應商封裝形式：SO
標準包裝名稱：SOIC
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：5(Max)
引腳數(shù)：8
包裝高度：1.5(Max)
最大連續(xù)漏極電流：7.3
封裝：Tape and Reel
鉛形狀：Gull-wing
P（ TOT ）：1.25W
匹配代碼：ZXMN3F31DN8TA
R（ THJC ）：2.1K/W
LogicLevel：YES
單位包：500
標準的提前期：10 weeks
最小起訂量：3000
Q（克）：12.9nC
LLRDS （上）：0.039Ohm
汽車：NO
LLRDS （上）在：4.5V
我（D ）：7.3A
V（ DS ）：30V
技術(shù)：TrenchFET
的RDS（on ） at10V：0.024Ohm
無鉛Defin：RoHS-conform
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：5.7A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應商設(shè)備封裝：8-SOP
其他名稱：ZXMN3F31DN8TR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：24 mOhm @ 7A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：1.25W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：608pF @ 15V
閘電荷（Qg ） @ VGS：12.9nC @ 10V
封裝/外殼：8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
工廠包裝數(shù)量：500
產(chǎn)品種類：MOSFET
晶體管極性：N-Channel
配置：Dual
源極擊穿電壓：+/- 20 V
連續(xù)漏極電流：7.3 A
安裝風格：SMD/SMT
RDS（ON）：24 mOhms
功率耗散：2.1 W
最低工作溫度：- 55 C
封裝/外殼：SO-8
上升時間：3.3 ns
最高工作溫度：+ 150 C
漏源擊穿電壓：30 V
下降時間：8 ns
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導通電阻：0.024 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：SO
極性：N