標(biāo)準包裝：3,000
FET 型
：2 N-Channel (Dual)
FET特點：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：30V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：2.9A
Rds（最大）@ ID，VGS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：3.9nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：190pF @ 25V
功率 - 最大：1.5W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：8-WDFN Exposed Pad
供應(yīng)商器件封裝：8-DFN (3x2)
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
動態(tài)目錄：N-Channel Logic Level Gate FETs###/catalog/en/partgroup/n-channel-logic-level-gate-fets/16697?mpart=ZXMN3AMCTA&vendor=31&WT.z_ref_page_type=Part%20Search&WT.z_ref_page_sub_type=Part%20Detail%20Page&WT.z_ref_page_id=0;;其他的名稱；
包裝：8DFN EP
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：30 V
最大連續(xù)漏極電流：3.7 A
RDS -于：120@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時間：1.7 ns
典型上升時間：2.3 ns
典型關(guān)閉延遲時間：6.6 ns
典型下降時間：2.9 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準包裝：Tape & Reel
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：RoHS Compliant
封裝：Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：2
PCB：8
最大功率耗散：2450
最大漏源電壓：30
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：120@10V
每個芯片的元件數(shù)：2
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：DFN EP
標(biāo)準包裝名稱：DFN
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：3
引腳數(shù)：8
包裝高度：0.78
最大連續(xù)漏極電流：3.7
鉛形狀：No Lead
單位包：3000
最小起訂量：3000
FET特點：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：2.9A
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-DFN (3x2)
其他名稱：ZXMN3AMCTATR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：120 mOhm @ 2.5A, 10V
FET型：2 N-Channel (Dual)
功率 - 最大：1.5W
漏極至源極電壓（Vdss）：30V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：190pF @ 25V
閘電荷（Qg ） @ VGS：3.9nC @ 10V
封裝/外殼：8-WDFN Exposed Pad
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
連續(xù)漏極電流：3.7 A
柵源電壓（最大值）：?20 V
功率耗散：2.45 W
工作溫度范圍：-55C to 150C
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：2
工作溫度分類：Military
漏源導(dǎo)通電壓：30 V