Rohs：Lead free / RoHS Compliant
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
FET 型
：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
漏極至源極電壓（VDSS）：60V
電流-連續(xù)漏極（編號）@ 25°C：5.36A
Rds（最大）@ ID，VGS：80 mOhm @ 4.8A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id：3V @ 250μA
柵極電荷（Qg）@ VGS：5.8nC @ 10V
輸入電容（Ciss）@?Vds的：459pF @ 40V
功率 - 最大：2.12W
安裝類型
：Surface Mount
包/盒
：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應(yīng)商器件封裝：TO-252-3
包裝材料
：Tape & Reel (TR)
包裝：3DPAK
通道模式：Enhancement
最大漏源電壓：60 V
最大連續(xù)漏極電流：7.9 A
RDS -于：80@10V mOhm
最大門源電壓：±20 V
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：2.6 ns
典型上升時(shí)間：2.1 ns
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：12.3 ns
典型下降時(shí)間：4.6 ns
工作溫度：-55 to 150 °C
安裝：Surface Mount
標(biāo)準(zhǔn)包裝：Tape & Reel
最大門源電壓：±20
包裝寬度：6.1
PCB：2
最大功率耗散：8940
最大漏源電壓：60
歐盟RoHS指令：Compliant
最大漏源電阻：80@10V
每個(gè)芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應(yīng)商封裝形式：DPAK
標(biāo)準(zhǔn)包裝名稱：TO-252
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：6.58
引腳數(shù)：3
包裝高度：2.29
最大連續(xù)漏極電流：7.9
封裝：Tape and Reel
標(biāo)簽：Tab
鉛形狀：Gull-wing
FET特點(diǎn)：Logic Level Gate
安裝類型：Surface Mount
電流 - 連續(xù)漏極（Id ） @ 25 °C：5.36A (Ta)
的Vgs（th ） （最大）@ Id：3V @ 250μA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-252-3
其他名稱：ZXMN6A08KTCTR
開態(tài)Rds（最大）@ Id ，V GS：80 mOhm @ 4.8A, 10V
FET型：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大：2.12W
漏極至源極電壓（Vdss）：60V
輸入電容（Ciss ） @ VDS：459pF @ 40V
閘電荷（Qg ） @ VGS：5.8nC @ 10V
封裝/外殼：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
RoHS：RoHS Compliant
連續(xù)漏極電流：7.9 A
柵源電壓（最大值）：?20 V
漏源導(dǎo)通電阻：0.08 ohm
工作溫度范圍：-55C to 150C
包裝類型：TO-252
極性：N
類型：Power MOSFET
元件數(shù)：1
工作溫度分類：Military