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ZXMN6A07ZTA
規(guī)格信息：

制造商:Diodes Incorporated

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOT-89-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:250 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:3.2 nC

Pd-功率耗散:2.6 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Cut Tape

封裝:MouseReel

封裝:Reel

高度:1.6 mm

長(zhǎng)度:4.6 mm

系列:ZXMN6A07

晶體管類型:1 N-Channel

類型:MOSFET

寬度:2.6 mm

商標(biāo):Diodes Incorporated

正向跨導(dǎo) - 最小值:2.3 S

下降時(shí)間:2 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:1.4 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:4.9 ns

典型接通延遲時(shí)間:1.8 ns

單位重量:130.500 mg

ZXMN6A07ZTA

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買
ZXMN6A07ZTA	60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET	ZETEX[Zetex Semiconductors]	1011.02 Kbytes	共7頁(yè)	ZXMN6A11Z,TSM2N7000,TSM2N7002,ZXMN6A09K,ZXMN6A25DN8,BSP75G,ZXMN6A07F,ZXMN6A08E6,ZXMN6A09DN8,ZXMN6A09G	產(chǎn)品購(gòu)買
ZXMN6A07ZTA	60V SOT89 N-channel enhancement mode mosfet	ZETEX[Zetex Semiconductors]	524.68 Kbytes	共8頁(yè)	ZXMN6A25K,PJD15N06L,ZXMS6003G,PJP75N06,ZXMS6002G,ZXMN6A07F_07,ZXMN6A08G,ZXMN2B03E6,ZXMP6A17DN8,ZXMP6A16DN8	產(chǎn)品購(gòu)買
ZXMN6A07ZTA	60V SOT89 N-channel enhancement mode mosfet	DIODES[Diodes Incorporated]	536.89 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買
ZXMN6A07ZTA	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMI[VBsemi Electronics Co.,Ltd]	1019.73 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買