制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:1.5 kV
Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:9 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:29.3 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:140 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:PowerMESH
封裝:Tube
高度:20.15 mm
長度:15.75 mm
系列:STW3N150
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
寬度:5.15 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
正向跨導(dǎo) - 最小值:2.6 S
下降時間:61 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:47 ns
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
典型接通延遲時間:24 ns
單位重量:38 g