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STW28NM50N
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:500 V

Id-連續(xù)漏極電流:21 A

Rds On-漏源導通電阻:158 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:50 nC

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:150 W

配置:Single

商標名:MDmesh

封裝:Tube

系列:STW28NM50N

晶體管類型:1 N-Channel

類型:N-Channel MDmesh II Power MOSFET

商標:STMicroelectronics

正向跨導 - 最小值:1.5 S

下降時間:52 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:19 ns

工廠包裝數(shù)量:600

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:62 ns

典型接通延遲時間:13.6 ns

單位重量:38 g

介紹圖STW28NM50N
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
STW28NM50Nisc N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)273.04 Kbytes共2頁STW28NM50N的PDF文件地址 STW28NM50N的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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