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制造商:STMicroelectronics

產品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-247-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.5 kV

Id-連續(xù)漏極電流:14 A

Rds On-漏源導通電阻:900 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:89 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:446 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

高度:5.15 mm

長度:20.15 mm

產品:Power MOSFET

系列:STW21N150K5

晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET

類型:MDmesh K5

寬度:15.75 mm

商標:STMicroelectronics

下降時間:26 ns

產品類型:MOSFET

上升時間:14 ns

工廠包裝數(shù)量:600

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:134 ns

典型接通延遲時間:34 ns

單位重量:38 g