系列：MDmesh? II Plus
FET類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：37nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1370pF @ 100V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：170W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：150 毫歐 @ 12A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-247-3
封裝形式Package：TO-247
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：650V
連續(xù)漏極電流ID：22A
RoHS：符合 RoHS
最高工作溫度：+ 150 C
190 W：Pd - 功率消耗
安裝風(fēng)格：Through Hole
品牌：STMicroelectronics
最低工作溫度：- 55 C
標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量：30
晶體管極性：N-Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓：600 V
Vgs - 閘極-源極擊穿電壓：25 V
Id - C連續(xù)漏極電流：24 A
Rds On - 漏-源電阻：120 m0hms
配置：Single
Vgs th - 門源門限電壓：3 V
37 nC：Qg - 閘極充電
無鉛情況/RoHs：否