制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-247-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:29 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:110 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:80.4 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
資格:AEC-Q101
封裝:Tube
系列:STW36NM60ND
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時間:61.8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:53.4 ns
工廠包裝數(shù)量:600
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:111 ns
典型接通延遲時間:30 ns
單位重量:38 g