制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:400 V
Id-連續(xù)漏極電流:38 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:72 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:56 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:250 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
資格:AEC-Q101
商標(biāo)名:MDmesh
高度:4.6 mm
長(zhǎng)度:15.75 mm
產(chǎn)品:Power MOSFET
系列:STP45N40DM2AG
晶體管類型:1 N-Channel Power MOSFET
類型:High Voltage
寬度:10.4 mm
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:9.8 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:6.7 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:68 ns
典型接通延遲時(shí)間:20 ns
單位重量:330 mg