制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:30 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:95 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:71 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STP38N65M5
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:9 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:9 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
單位重量:330 mg
STP38N65M5
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STP38N65M5 | N-channel 650 V, 0.073, 30 A MDmesh V Power MOSFET | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 1588.46 Kbytes | 共22頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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