系列：MDmesh? II Plus
FET類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極（Id）（25°C時）：24A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：37nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1370pF @ 100V
Vgs（最大值）：±25V
功率耗散（最大值）：170W（Tc）
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：150 毫歐 @ 12A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-220-3
封裝形式Package：TO-220
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：650V
連續(xù)漏極電流ID：22A
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs