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STP180N10F3
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Id-連續(xù)漏極電流:120 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:4.5 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:114.6 nC

Pd-功率耗散:315 W

配置:Single

商標(biāo)名:STripFET

封裝:Tube

系列:STP180N10F3

晶體管類型:1 N-Channel

商標(biāo):STMicroelectronics

下降時間:6.9 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:97.1 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

單位重量:330 mg

介紹圖STP180N10F3
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STP180N10F3N-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)199.77 Kbytes共2頁STP180N10F3的PDF文件地址 STP180N10F3的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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