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制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術:Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:10 A

Rds On-漏源導通電阻:370 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3 V

Vgs - 柵極-源極電壓:25 V

Qg-柵極電荷:16.5 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:MDmesh

系列:STP11N60DM2

晶體管類型:1 N-Channel

商標:STMicroelectronics

下降時間:9.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:6.3 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關閉延遲時間:31 ns

典型接通延遲時間:11.7 ns

單位重量:2 g