制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:100 V
Id-連續(xù)漏極電流:80 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:8 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:56 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:150 W
配置:Single
商標(biāo)名:STripFET
封裝:Tube
產(chǎn)品:Power MOSFET
系列:STP100N10F7
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:16 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:40 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:46 ns
典型接通延遲時(shí)間:27 ns
單位重量:330 mg