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STP11NM60
規(guī)格信息：

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET

RoHS:否

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:11 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:450 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:30 V

最小工作溫度:- 65 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:160 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:MDmesh

封裝:Tube

高度:9.15 mm

長(zhǎng)度:10.4 mm

系列:STP11NM60

晶體管類(lèi)型:1 N-Channel

類(lèi)型:MOSFET

寬度:4.6 mm

商標(biāo):STMicroelectronics

正向跨導(dǎo) - 最小值:5.2 S

下降時(shí)間:11 ns

產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET

上升時(shí)間:20 ns

工廠(chǎng)包裝數(shù)量:1000

子類(lèi)別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:6 ns

典型接通延遲時(shí)間:20 ns

單位重量:2.240 g

STP11NM60

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠(chǎng)商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60	Isc N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	317.79 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60A	MOSFET N-CH 600V 11A TO220AB	STMicroelectronics	249.62 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60FD	MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp	STMicroelectronics	469.99 Kbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60FDFP	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：11A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：600V 柵源極閾值電壓：5V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：450mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：35W(Tc) 類(lèi)型：N溝道	ST(意法半導(dǎo)體)	467.58 Kbytes	共17頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60FP	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP	STMicroelectronics	548.58 Kbytes	共12頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60N	MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB	STMicroelectronics	635.30 Kbytes	共20頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60ND	MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II	STMicroelectronics	742.10 Kbytes	共19頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
STP11NM60ND	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	STMicroelectronics	1.66 Mbytes	共19頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)