制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:800 V
Id-連續(xù)漏極電流:17 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:295 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:30 V
Qg-柵極電荷:70 nC
最小工作溫度:- 65 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
商標(biāo)名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STP18NM80
晶體管類型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:50 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:28 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:96 ns
典型接通延遲時(shí)間:18 ns
單位重量:330 mg
STP18NM80
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| STP18NM80 | Isc N-Channel MOSFET Transistor | ISC[Inchange Semiconductor Company Limited] | 317.98 Kbytes | 共2頁 | 產(chǎn)品購(gòu)買 |
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