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STP36N06
規(guī)格信息:

制造商:STMicroelectronics

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:36 A

Vds-漏源極擊穿電壓:60 V

Rds On-漏源導通電阻:40 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:120 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

商標:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:105 ns

最小工作溫度:- 65 C

上升時間:280 ns

系列:STP36N06

工廠包裝數(shù)量:50

介紹圖STP36N06
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
STP36N06N- CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)161.15 Kbytes共3頁STP36N06的PDF文件地址 STP36N06的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
STP36N06FIN- CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)161.15 Kbytes共3頁STP36N06FI的PDF文件地址 STP36N06FI的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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