制造商:STMicroelectronics
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:24 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:117 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:25 V
Qg-柵極電荷:41.5 nC
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:190 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:MDmesh
封裝:Tube
系列:STP33N65M2
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
商標(biāo):STMicroelectronics
下降時(shí)間:9 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:11.5 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:72.5 ns
典型接通延遲時(shí)間:13.5 ns
單位重量:330 mg
STP33N65M2
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| STP33N65M2 | Extremely low gate charge | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 800.37 Kbytes | 共23頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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