系列:STripFET??
FET類型:N 溝道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):40A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):75nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2500pF @ 25V
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):160W(Tc)
不同?Id,Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):45 毫歐 @ 20A,10V
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-220-3
封裝形式Package:TO-220
極性Polarity:N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS:200V
連續(xù)漏極電流ID:40A
無(wú)鉛情況/RoHs:無(wú)鉛/符合RoHs
STP40N20
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| STP40N20 | N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 507.12 Kbytes | 共18頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) | ||||
| STP40N20FP | N-channel 200V - 0.038 -40A- D2PAK/TO-220/TO-220FP/TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET | STMICROELECTRONICS[STMicroelectronics] | 507.12 Kbytes | 共18頁(yè) | 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi) |
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