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封裝/外殼：PG-TO220-3

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：20A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：5.5V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：103nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3000pF @ 25V

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：190 毫歐 @ 13A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3-1

安裝風(fēng)格：ThroughHole

通道數(shù)量：1Channel

晶體管極性：N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：600V

Id-連續(xù)漏極電流：20A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：190mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：20V

最小工作溫度：-55C

最大工作溫度：+150C

配置：Single

Pd-功率耗散：208W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)名：CoolMOS

封裝：Tube

高度：15.65mm

長(zhǎng)度：10mm

系列：CoolMOSS5

晶體管類型：1N-Channel

寬度：4.4mm

下降時(shí)間：30ns

上升時(shí)間：25ns

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：140ns

典型接通延遲時(shí)間：120ns

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs