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SPP18P06PG
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產品種類:MOSFET

RoHS:是

商標:Infineon Technologies

Id-連續(xù)漏極電流:18.7 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 60 V

Rds On-漏源導通電阻:130 mOhms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:81.1 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:11 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:5.8 ns

工廠包裝數量:500

典型關閉延遲時間:25 ns

典型接通延遲時間:12 ns

介紹圖SPP18P06PG
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
SPP18P06PGSIPMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網454.0 Kbytes共9頁SPP18P06PG的PDF文件地址 SPP18P06PG的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
SPP18P06PGSIPMOS?? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網759.57 Kbytes共9頁SPP18P06PG的PDF文件地址 SPP18P06PG的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
SPP18P06PG_10SIPMOS Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網454.0 Kbytes共9頁SPP18P06PG_10的PDF文件地址 SPP18P06PG_10的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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