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SPP18P06P
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：500

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：SIPMOS®

包裝：管件

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：18.7A（Ta）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：130 毫歐 @ 13.2A，10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：28nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：860pF @ 25V

功率 - 最大值：81.1W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO220-3

其它名稱：SP000012300SPP18P06PHKSA1SPP18P06PINSPP18P06PXSPP18P06PXKSPP18P06PXTINSPP18P06PXTIN-ND

SPP18P06P

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
SPP18P06P	SIPMOS Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	100.4 Kbytes	共9頁	SPD09P06PL,BSP125,SPD11N10,SPD30P06P,SPB10N10L,BSP324,SPD35N10,SPP10N10L,SPD18P06P,SPI10N10	產(chǎn)品購買
SPP18P06P	SIPMOS?? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	759.57 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06P H	MOSFET P-Ch -60V -18.7A TO220-3	Infineon Technologies	584.29 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06P H		Infineon(英飛凌)	571.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06P_09	SIPMOS?? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	759.57 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06PG	SIPMOS Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	454.0 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06PG	SIPMOS?? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode	INFINEON[Infineon Technologies AG]	759.57 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06PG_10	SIPMOS Power-Transistor	INFINEON[Infineon Technologies AG]	454.0 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06PHKSA1	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB	Infineon Technologies	456.54 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06PHXKSA1	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220	Infineon Technologies	571.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買
SPP18P06PHXKSA1	MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3	Infineon Technologies	571.36 Kbytes	共9頁		產(chǎn)品購買