Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C：20A
Drain to Source Voltage (Vdss)：650V
FET Feature：Standard
FET Type：MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Gate Charge (Qg) @ Vgs：103nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds：3000pF @ 25V
Mounting Type：Through Hole
Package / Case：TO-220-3
Power - Max：208W
Rds On (Max) @ Id, Vgs：190 mOhm @ 13A, 10V
Supplier Device Package：P-TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id：5.5V @ 1mA
最大門源電壓：±20
安裝：Through Hole
包裝寬度：4.4
PCB：3
最大功率耗散：208000
最大漏源電壓：600
歐盟RoHS指令：Supplier Unconfirmed
最大漏源電阻：190@10V
每個芯片的元件數(shù)：1
最低工作溫度：-55
供應商封裝形式：TO-220AB
標準包裝名稱：TO-220
最高工作溫度：150
渠道類型：N
包裝長度：10
引腳數(shù)：3
通道模式：Enhancement
包裝高度：9.25
最大連續(xù)漏極電流：20
標簽：Tab
鉛形狀：Through Hole