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SPP20N60C3XKSA1
規(guī)格信息：

制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Id-連續(xù)漏極電流:20.7 A

Rds On-漏源導通電阻:190 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:2.1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:10 V

Qg-柵極電荷:87 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:208 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:CoolMOS

封裝:Tube

高度:15.65 mm

長度:10 mm

系列:CoolMOS C3

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.4 mm

商標:Infineon Technologies

下降時間:4.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:5 ns

工廠包裝數(shù)量:500

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:67 ns

典型接通延遲時間:10 ns

零件號別名:SP000681058 SPP20N60C3 SPP2N6C3XK

單位重量:6 g

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SPP20N60C3XKSA1	MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO220-3	Infineon Technologies		693.74 Kbytes	共15頁				產(chǎn)品購買
SPP20N60C3XKSA1	MOSFET N-CH 600V 20.7A TO-220	Infineon Technologies		683.50 Kbytes	共15頁				產(chǎn)品購買