封裝/外殼：DPAK
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：100A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4 毫歐 @ 21A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 50μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：72nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3770pF @ 10V
功率耗散（最大值）：63W（Tc）
工作溫度：-50°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：DPAK
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：100 A
最大漏源電壓：20 V
最大漏源電阻值：5.2 m0hms
最大柵閾值電壓：1.1V
最小柵閾值電壓：0.5V
最大柵源電壓：-12 V、+12 V
封裝類型：DPAK (TO-252)
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：63 W
最低工作溫度：-55 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
尺寸：6.73 x 6.22 x 2.39mm
寬度：6.22mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：48 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds：3770 pF@ 10 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：63 ns
典型接通延遲時(shí)間：9.7 ns
高度：2.39mm
最高工作溫度：+150 °C
長度：6.73mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs