封裝/外殼：DPAK
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：84A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.8V，4.5V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：8.5 毫歐 @ 15A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.9V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：41nC @ 5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：2490pF @ 6V
功率耗散（最大值）：88W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：D-Pak
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：84 A
最大漏源電壓：12 V
最大漏源電阻值：0.03 0hms
最大柵源電壓：-12 V、+12 V
封裝類型：DPAK (TO-252)
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：88 W
正向跨導(dǎo)：31S
每片芯片元件數(shù)目：1
正向二極管電壓：1.2V
尺寸：6.73 x 2.39 x 6.22mm
長度：6.73mm
典型柵極電荷@Vgs：41 nC @ 5 V
典型輸入電容值@Vds：2490 pF @ 6 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：21 ns
典型接通延遲時(shí)間：11 ns
寬度：2.39mm
系列：HEXFET
高度：6.22mm
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+175 °C
晶體管材料：Si
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs