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IRLR3636
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：6.8m?

VDS max：60.0V

ID max：70.0A

Package：DPAK (TO-252)

Tj max：175.0°C

QG：33.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.49

RDS (on) (@4.5V) max：8.3m?

Ptot max：143.0W

Polarity：N

Qgd：15.0nC

VGS max：16.0V

Mounting：SMD

RthJC max：1.05K/W

ID (@ TC=25°C) max：99.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRLR3636

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IRLR3636	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.67 Kbytes	共2頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	388.97 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636TRLPBF	MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl	Infineon / IR	384.10 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636TRLPBF		Infineon(英飛凌)	383.38 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636TRPBF	MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC	Infineon Technologies	384.10 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636TRPBF		VBsemi(臺(tái)灣微碧)	1.31 Mbytes	共8頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636TRPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：50A 漏源電壓（Vdss）：60V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 100uA 漏源導(dǎo)通電阻：6.8mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：143W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	383.38 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買
IRLR3636TRPBF	IRLR3636TRPBF N-channel MOSFET Transistor; 99 A; 60 V; 3-Pin DPAK	Infineon	383.38 Kbytes	共10頁	產(chǎn)品購買