盗墓笔记同人小说,玄幻小说改编的电视剧,《完美世界》txt全集

IRLR3114Z
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TUBE

Moisture Level：1

RDS (on) max：4.5m?

VDS max：40.0V

ID max：89.0A

Package：DPAK (TO-252)

Tj max：175.0°C

QG：40.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.53

RDS (on) (@4.5V) max：6.5m?

Ptot max：140.0W

Polarity：N

Qgd：18.0nC

VGS max：16.0V

Mounting：SMD

RthJC max：1.05K/W

ID (@ TC=25°C) max：130.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRLR3114Z

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRLR3114Z	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.52 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRLR3114ZPBF	AUTOMOTIVE MOSFET	IRF[International Rectifier]	745.76 Kbytes	共11頁	IRFR120ZPBF,3935,IRFP2907Z,IRF540ZPBF,IRF1503PBF,IRF2903ZPBF,A3930,IRFR4105ZPBF,IRLR3705ZPBF,IRFR3710ZPBF	產(chǎn)品購買
IRLR3114ZTRPBF	MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC	Infineon / IR	316.58 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRLR3114ZTRPBF	MOSFET N-CH 40V 42A DPAK	Infineon Technologies	324.58 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRLR3114ZTRPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：42A 漏源電壓（Vdss）：40V 柵源極閾值電壓：2.5V @ 100uA 漏源導(dǎo)通電阻：4.9mΩ @ 42A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：140W 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	315.42 Kbytes	共11頁		產(chǎn)品購買
IRLR3114ZTRPBF	IRLR3114ZTRPBF N-channel MOSFET Transistor; 130 A; 40 V; 3+Tab-Pin DPAK	Infineon	324.58 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買