官场小说排行榜,遮天辰东小说

IRLR3717
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：4.2m?

VDS max：20.0V

ID max：81.0A

Package：DPAK (TO-252)

QG：21.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.38

RDS (on) (@4.5V) max：5.7m?

Ptot max：89.0W

Polarity：N

Qgd：7.2nC

Mounting：SMD

RthJC max：1.69K/W

ID (@ TC=25°C) max：120.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRLR3717

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRLR3717	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	268.24 Kbytes	共11頁	IRF7341,IRLR2905,IRF7494,IRL3303,IRL2703S,IRLL2703,IRFIZ24G,IRL3202,IRL3716,IRF7328	產(chǎn)品購買
IRLR3717	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.21 Kbytes	共2頁		產(chǎn)品購買
IRLR3717PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	263.12 Kbytes	共11頁	IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRF5210SPBF,IRF7460PBF,IRFBC40APBF,IRFP340PBF,IRFS4410PBF,IRLL024NPBF	產(chǎn)品購買
IRLR3717TRLPBF	MOSFET N-CH 20V 120A DPAK	Infineon Technologies	266.50 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRLR3717TRPBF	MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC	Infineon Technologies	267.87 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRLR3717TRPBF	MOSFET N-CH 20V 120A DPAK	Infineon Technologies	266.50 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRLR3717TRRPBF	MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC	Infineon Technologies	267.87 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRLR3717TRRPBF	MOSFET N-CH 20V 120A DPAK	Infineon Technologies	266.50 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買
IRLR3717TRRPBF	連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時）：120A(Tc) 漏源電壓（Vdss）：20V 柵源極閾值電壓：2.45V @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻：4mΩ @ 15A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：89W(Tc) 類型：N溝道	Infineon(英飛凌)	266.50 Kbytes	共12頁		產(chǎn)品購買