制造商:International Rectifier
產(chǎn)品種類:MOSFET
Id-連續(xù)漏極電流:2.5 A
Vds-漏源極擊穿電壓:- 100 V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.38 Ohms
晶體管極性:P-Channel
Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:15 W
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-39-3
商標(biāo):International Rectifier
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時間:40 ns
最小工作溫度:- 55 C
上升時間:60 ns
典型關(guān)閉延遲時間:40 ns
典型接通延遲時間:30 ns
IRFF9110
| 型號 | 功能描述 | 生產(chǎn)廠商 | 廠商LOGO | PDF大小 | PDF頁數(shù) | PDF文件 | 相關(guān)型號 | 第一頁預(yù)覽 | 產(chǎn)品購買 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| IRFF9110 | P-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 | SEME-LAB[Seme LAB] | 16.67 Kbytes | 共1頁 | 產(chǎn)品購買 |
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