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IRFF131
規(guī)格信息:

Series-

PackageBulk

FET TypeN-Channel

TechnologyMOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)80 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-

Rds On (Max) @ Id, Vgs-

Vgs(th) (Max) @ Id-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-

Vgs (Max)-

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-

FET Feature-

Power Dissipation (Max)-

Operating Temperature-

Mounting TypeThrough Hole

Supplier Device PackageTO-205AF (TO-39)

Package / CaseTO-205AF Metal Can

介紹圖IRFF131
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
IRFF131N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS GESS[GE Solid State]GESS[GE Solid State]的LOGO-天天IC網(wǎng)161.62 Kbytes共5頁IRFF131的PDF文件地址RFM10N12,MRF18090BR3,MRD6S18060MR1,MRF5S19100HR3,MRF9030MR1,MRF6S9060NR1,MRF1511T1,MRF9030LR1,MRF19045LR3,MRF9060MR1 IRFF131的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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