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IRFF130
規(guī)格信息：

封裝/外殼：TO-205AF

Technology：Hi-Rel DISCRETE

RDS(on) Ohms：0.18

Circuit：Discrete

Polarity：N

ID @ 25C (A)：8

Base Part Status：Active

DLA Qualified：QPL

JEDEC Part Number：2N6796

ID @ 100C (A)：5.0

BVDSS：100

RoHS：No

Power Dissipation (W)：25

Halogen-Free：Yes

無(wú)鉛情況/RoHs：否

介紹圖IRFF130
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFF1308.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]NJSEMI[New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)150.53 Kbytes共3頁(yè)IRFF130的PDF文件地址 IRFF130的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFF1308.0A, 100V, 0.180 Ohm, N-Channel Power MOSFET INTERSIL[Intersil Corporation]INTERSIL[Intersil Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)325.05 Kbytes共7頁(yè)IRFF130的PDF文件地址2N6796,JANSR2N7272,HUFA75652G3,HUF75631SK8,IRF520,STD25NF10L,HUFA76609D3,HUF75637P3,IRF530N,STB14NF10 IRFF130的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFF130N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS GESS[GE Solid State]GESS[GE Solid State]的LOGO-天天IC網(wǎng)161.62 Kbytes共5頁(yè)IRFF130的PDF文件地址RFM10N12,MRF18090BR3,MRD6S18060MR1,MRF5S19100HR3,MRF9030MR1,MRF6S9060NR1,MRF1511T1,MRF9030LR1,MRF19045LR3,MRF9060MR1 IRFF130的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFF130N-Channel MOSFET in a Hermetically sealed TO39 SEME-LAB[Seme LAB]SEME-LAB[Seme LAB]的LOGO-天天IC網(wǎng)16.62 Kbytes共1頁(yè)IRFF130的PDF文件地址 IRFF130的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFF130相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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