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IRFB4110G
規(guī)格信息：

封裝/外殼：TO220

Packing Type：TUBE

Moisture Level：NA

RDS (on) max：4.5m?

VDS max：100.0V

ID max：130.0A

Package：TO-220

Tj max：175.0°C

QG：150.0nC

Budgetary Price ?€/1k：1.83

Ptot max：370.0W

Polarity：N

Qgd：43.0nC

VGS max：20.0V

Mounting：THT

RthJC max：0.4K/W

ID (@ TC=25°C) max：180.0A

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖IRFB4110G
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
IRFB4110GN-Channel MOSFET Transistor ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]的LOGO-天天IC網(wǎng)338.71 Kbytes共2頁(yè)IRFB4110G的PDF文件地址 IRFB4110G的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
IRFB4110GPBFHEXFET Power MOSFET IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)308.74 Kbytes共8頁(yè)IRFB4110GPBF的PDF文件地址 IRFB4110GPBF的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
IRFB4110G相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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